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渦流法電阻率測(cè)試儀

渦流法方阻測(cè)試儀無(wú)損電阻率測(cè)試儀碳化硅電阻率方阻氧化鎵電阻率方阻

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渦流法方阻測(cè)試儀

??渦流法方阻測(cè)試儀的方阻是指一個(gè)正方形?薄膜導(dǎo)電材料邊到邊的電阻?，也稱為方塊電阻或?膜電阻。方阻是衡量薄膜狀導(dǎo)電材料（如?蒸發(fā)鋁膜、?導(dǎo)電漆膜、印制電路板銅箔膜等）厚度的一個(gè)參數(shù)，其大小與材料的電阻率和厚度有關(guān)。
方阻的特性是，無(wú)論正方形的邊長(zhǎng)如何，其邊到邊的電阻值都是相同的。這意味著，不管正方形的邊長(zhǎng)是1米還是1毫米，其方阻值都是一樣的。方阻僅與導(dǎo)電膜的厚度和電阻率有關(guān)，與樣品的尺寸無(wú)關(guān)。

產(chǎn)品型號(hào)：
廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家
更新時(shí)間：2025-06-26
訪問(wèn) 量：1658

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產(chǎn)品詳情

??方阻是指一個(gè)正方形?薄膜導(dǎo)電材料邊到邊的電阻?，也稱為方塊電阻或?膜電阻。方阻是衡量薄膜狀導(dǎo)電材料（如?蒸發(fā)鋁膜、?導(dǎo)電漆膜、印制電路板銅箔膜等）厚度的一個(gè)參數(shù)，其大小與材料的電阻率和厚度有關(guān)。?

特性：

方阻的特性是，無(wú)論正方形的邊長(zhǎng)如何，其邊到邊的電阻值都是相同的。這意味著，不管正方形的邊長(zhǎng)是1米還是1毫米，其方阻值都是一樣的。方阻僅與導(dǎo)電膜的厚度和電阻率有關(guān)，與樣品的尺寸無(wú)關(guān)。

描述：

渦流法方阻測(cè)試儀主要利用渦電流測(cè)試原理，非接觸測(cè)試半導(dǎo)體材料，石墨烯，透明導(dǎo)電膜，碳納米管，金屬等材料的方阻（電阻率）?？蓪?shí)現(xiàn)單點(diǎn)測(cè)試，亦可以實(shí)現(xiàn)面掃描的測(cè)試功能，可用于材料研發(fā)及工藝的監(jiān)測(cè)及質(zhì)量控制。

特點(diǎn)：

本儀器為非接觸，非損傷測(cè)試，具有測(cè)試速度快，重復(fù)性佳，測(cè)試敏感性高，可以直接測(cè)試產(chǎn)品片。

渦流法方阻測(cè)試儀技術(shù)參數(shù)：

參數(shù)	探頭	方阻范圍	電阻率范圍	測(cè)試方法
量程	低阻探頭	0.005-1Ω/sq	0.25-50mΩ·cm	渦流法，非接觸式
	中阻探頭	0.05-10Ω/sq	2.5-500mΩ·cm
	高阻探頭	10-3000Ω/sq	0.5-150Ω·cm
	錠探頭	0.01-2Ω·cm
重復(fù)性	＜0.2%(≤50%量程范圍）		＜0.5%(>50%量程范圍）
準(zhǔn)確度	＜±3%(≤50%量程范圍）		＜±3%(>50%量程范圍）
探頭信息	探頭類型：雙探頭（上下探頭，間距2-3mm）探頭直徑：外徑20mm，內(nèi)徑14mm（有效測(cè)試部分）
坐標(biāo)設(shè)置	任意坐標(biāo)設(shè)置
存儲(chǔ)數(shù)據(jù)	數(shù)據(jù)庫(kù)內(nèi)部存儲(chǔ)（可導(dǎo)出表格文件） PDF測(cè)試報(bào)告，含測(cè)試信息（時(shí)間、操作員）、wafer信息（編號(hào)、尺寸、厚度），數(shù)據(jù)信息（測(cè)試點(diǎn)數(shù)，**值，最小值，平均值，相對(duì)標(biāo)準(zhǔn)偏差等），等高線圖，曲面圖等。 CSV表格數(shù)據(jù)可存儲(chǔ)至遠(yuǎn)端服務(wù)器，可根據(jù)客戶需求修改相關(guān)報(bào)告信息
WAFER信息	尺寸：2"-8"（英寸）厚度：100-1500μm
系統(tǒng)要求	供電：AC220V,50/60Hz；功率：600W；環(huán)境：溫度24℃±10℃ 相對(duì)濕度：20%-80%RH；尺寸：975465425(mm)；壽命：>10年

渦流法原理：

當(dāng)載有交變電流的檢測(cè)線圈靠近被測(cè)導(dǎo)體，由于線圈上交變磁場(chǎng)的作用，被測(cè)導(dǎo)體感應(yīng)出渦流并產(chǎn)生與原磁場(chǎng)方向相反的磁場(chǎng)，部分抵消原磁場(chǎng)，導(dǎo)致檢測(cè)線圈電阻和電感變化。

渦流法方阻測(cè)試儀

電阻率=方阻×Wafer厚度

方阻和V具有關(guān)系

電阻率是用來(lái)表示物質(zhì)電阻特性的物理量，是材料本身的電學(xué)性質(zhì)。

適用材料：

材料	電阻率	方阻
Silicon wafer	Y	Y
SiC wafer / Ingot	Y	Y
GaO wafer / Ingot	Y	Y
GaN wafer 2DEGI	Y	Y
GaAs 2EDG		Y
IGZO/LTPS/ITO		Y
TCO(Touch panel)		Y
Graphene		Y
Metal film		Y

穩(wěn)定性

渦流法方阻測(cè)試儀

相對(duì)標(biāo)準(zhǔn)偏差=0.0150%@中點(diǎn)15次重復(fù)性

方阻Mapping55點(diǎn)測(cè)試報(bào)告

報(bào)告時(shí)間	2023/10/26 13:51	測(cè)試樣本數(shù)	55
分析時(shí)間	2023/10/26 13:47	**電阻率	0.0232
操作員ID	admin	最小電阻率	0.02277
批次ID	0	平均電阻率	0.02293
樣片ID	A-1-55	標(biāo)準(zhǔn)偏差	0.000111
尺寸規(guī)格	100mm	相對(duì)標(biāo)準(zhǔn)偏差	0.4861%

渦流法方阻測(cè)試儀

動(dòng)態(tài)重復(fù)性逐點(diǎn)（38點(diǎn)坐標(biāo)）一致性數(shù)據(jù)如下(樣品面的測(cè)量5次)

	一	二	三	四	五	重復(fù)性	Max
1	0.12459	0.12466	0.12467	0.12471	0.12472	0.0413%	0.0703%
2	0.12347	0.12351	0.12356	0.12358	0.12362	0.0477%
3	0.12315	0.12321	0.12323	0.12326	0.12329	0.0431%
4	0.12389	0.12398	0.124	0.12402	0.12405	0.0489%
5	0.12421	0.12424	0.12428	0.12438	0.12441	0.0703%
6	0.12396	0.12403	0.12406	0.12408	0.12412	0.0484%
7	0.12387	0.12389	0.12398	0.124	0.12403	0.0566%
8	0.12482	0.12486	0.1249	0.12493	0.12496	0.0444%
9	0.12431	0.12434	0.1244	0.12447	0.12451	0.0679%
10	0.12429	0.12435	0.12438	0.12442	0.12445	0.0500%
11	0.12372	0.12378	0.1238	0.12383	0.12386	0.0429%
12	0.12381	0.12389	0.12392	0.12393	0.12396	0.0462%
13	0.1237	0.12374	0.1238	0.12381	0.12385	0.0481%
14	0.12386	0.12394	0.12396	0.12399	0.12403	0.0512%
15	0.12394	0.124	0.12404	0.12407	0.12409	0.0482%
16	0.12496	0.125	0.12504	0.12507	0.12509	0.0421%
17	0.1245	0.12454	0.12452	0.12464	0.12465	0.0562%
18	0.12414	0.12418	0.12422	0.12425	0.12427	0.0424%
19	0.12392	0.12396	0.124	0.12404	0.12406	0.0462%
20	0.12487	0.12491	0.12496	0.12501	0.12501	0.0495%
21	0.12355	0.1236	0.12363	0.12367	0.12372	0.0526%
22	0.12402	0.12409	0.12412	0.12415	0.12417	0.0473%
23	0.12442	0.12444	0.12453	0.12456	0.12458	0.0578%
24	0.12419	0.12423	0.12428	0.12431	0.12434	0.0486%
25	0.12388	0.12395	0.12396	0.12398	0.12403	0.0438%
26	0.12501	0.12505	0.12509	0.12512	0.12516	0.0468%
27	0.1244	0.12444	0.12453	0.12453	0.12458	0.0592%
28	0.12441	0.12445	0.12452	0.12453	0.12457	0.0519%
29	0.12385	0.12389	0.12393	0.12396	0.124	0.0473%
30	0.12379	0.12383	0.12385	0.12387	0.12392	0.0389%
31	0.12367	0.1237	0.12372	0.12374	0.12381	0.0425%
32	0.12393	0.12397	0.12402	0.12403	0.12409	0.0492%
33	0.12394	0.12396	0.124	0.12405	0.12409	0.0502%
34	0.12506	0.12509	0.12514	0.12519	0.12521	0.0510%
35	0.12449	0.12452	0.12459	0.12465	0.12466	0.0610%
36	0.12423	0.12423	0.12431	0.12434	0.12436	0.0491%
37	0.12382	0.12386	0.12386	0.12392	0.12395	0.0421%
38	0.12494	0.12497	0.12502	0.12508	0.12508	0.0507%

不同阻值穩(wěn)定性測(cè)試如下（1000個(gè)數(shù)據(jù)分統(tǒng)計(jì)）

	真實(shí)值	靜態(tài)	動(dòng)態(tài)
穩(wěn)定性	0.1013	0.05%	0.05%
	0.1596	0.04%	0.04%
	0.2884	0.05%	0.06%
	0.5657	0.07%	0.05%
	0.9746	0.07%	0.08%
	1.5941	0.11%	0.09%
	3.1808	0.16%	0.27%
	16.662	0.48%	0.96%
	56.4	0.03%	0.05%
	180.6	0.10%	0.10%
	264.4	0.10%	0.16%
	573.7	0.28%	0.36%
	750.9	0.34%	0.43%

非接觸式無(wú)損方塊電阻測(cè)試儀、晶圓方阻測(cè)試儀，方阻測(cè)試儀，硅片電阻率測(cè)試儀，渦流法高低電阻率分析儀，晶錠電阻率分析儀，渦流法電阻率探頭和PN探頭測(cè)試儀，遷移率（霍爾）測(cè)試儀，少子壽命測(cè)試儀，晶圓、硅片厚度測(cè)試儀，表面光電壓儀JPV\SPV。為碳化硅、硅片、氮化鎵、氧化鎵、金屬薄膜、玻璃、襯底和外延廠商提供測(cè)試和解決方案。

憑借先進(jìn)的技術(shù)和豐富的產(chǎn)品線，已發(fā)展成為中國(guó)大陸少數(shù)具有一定國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力的半導(dǎo)體專用設(shè)備提供商，產(chǎn)品得到眾多國(guó)內(nèi)外主流半導(dǎo)體廠商的認(rèn)可，并取得良好的市場(chǎng)口碑。

主要應(yīng)用領(lǐng)域：碳化硅測(cè)試、氮化鎵測(cè)試、晶圓硅片測(cè)試、氧化鎵測(cè)試、金屬薄膜測(cè)試、玻璃測(cè)試、襯底和外延廠商、光伏電池片測(cè)試。

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