晶錠非接觸方阻測(cè)試儀介紹：

晶錠，也叫單晶硅棒，是一種純度硅材料，在電子工業(yè)中被廣泛應(yīng)用。晶錠是一種長(zhǎng)條狀的半導(dǎo)體材料，通常采用Czochralski法或發(fā)明家貝爾曼的Float-Zone法制備，直徑通常為200mm或300mm。方阻，全稱(chēng)是方塊電阻（Sheet Resistance），指薄膜單位面積上的電阻，等于電阻率除以厚度，單位為Ω/□。方塊電阻有一個(gè)特性，即任意大小的正方形邊到邊的電阻都是一樣的，不管邊長(zhǎng)是1m還是1mm，它們的方阻都是一樣。

對(duì)于硅材料，什么時(shí)候用電阻率，什么時(shí)候用方阻呢？

對(duì)硅晶圓或絕緣體上硅（SOI），規(guī)格書(shū)上通常用電阻率表征其基本電學(xué)參數(shù)。硅片一般分為高阻硅和低阻硅，高阻硅中的雜質(zhì)濃度非常低，通常在1012cm-3以下，這使得高阻硅片的電阻率非常高，在103-106Ω·cm之間。相對(duì)于低阻硅，高阻硅的制造工藝極為難，電阻越高要求的硅的純度越高，很多標(biāo)稱(chēng)的高阻硅經(jīng)過(guò)退火，電阻率都有一定程度的衰減。

方阻這個(gè)概念，主要是針對(duì)薄膜提出來(lái)的，它的提出使MEMS器件電學(xué)設(shè)計(jì)更為簡(jiǎn)便。它好比一個(gè)正方形方塊積木，我們知道了方阻值，只要數(shù)出它的方塊數(shù)（電阻的長(zhǎng)除以寬），就很容易計(jì)算出總電阻。所以，方塊和方阻的引入，極大了方便了設(shè)計(jì)和制造人員之間的溝通。對(duì)于多晶硅或者注入單晶硅，我們甚至不需要知道注入深度（結(jié)深），只需要測(cè)定方阻值，即可輕易完成電路部分的設(shè)計(jì)。

晶錠非接觸方阻測(cè)試儀技術(shù)參數(shù)：